DDR4时序参数整理 |
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tCK (Clock Cycle Time): 时钟周期时间,即两个连续时钟边沿之间的时间间隔。 tRCD (RAS to CAS Delay): 行选通到列选通的延迟时间,即发出行地址到发出列地址的时间间隔。 tCL (CAS Latency): CAS延迟时间,即从列选通到数据输出的延迟时间。 tRP (RAS Precharge Time): 行选通预充电时间,即行选通结束到下一次行选通开始之间的时间间隔。 tRAS (Active to Precharge Delay): 行选通到预充电的延迟时间,即行选通到下一次行选通开始之间的时间间隔。 tWR (Write Recovery Time): 写恢复时间,即写操作完成后到下一次读或写操作开始之间的时间间隔。 tRFC (Refresh Cycle Time): 刷新周期时间,即两个连续刷新操作之间的时间间隔。 tFAW (Four Activation Window): 四次行选通窗口时间,即在同一刷新周期内发出的行选通命令的最小时间间隔。 tRC (Row Cycle Time): 行周期时间,即两个连续行选通之间的时间间隔。 tCCD (CAS to CAS Delay): CAS到CAS延迟时间,即在同一行内切换列选通的时间间隔。 tRTP (Read to Precharge Delay): 读到预充电的延迟时间,即读操作完成到预充电开始之间的时间间隔。 tWTR (Write to Read Delay): 写到读延迟时间,即写操作完成到读操作开始之间的时间间隔。 |
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